Radarın menzilini üç katına çıkaracak fikir: DARPA’nın THREADS programı ikinci faza geçti

BAE Systems’in araştırma birimi FAST Labs, ABD’nin ileri araştırma ajansı DARPA tarafından yürütülen THREADS programında birinci fazı tamamlayarak ikinci faza geçti. Programın hedefi, galyum nitrür (GaN) çiplerde biriken ısıyı doğrudan cihaz ölçeğinde uzaklaştırmak. Başarılı olursa radar ve elektronik harp sistemlerinin menzili yaklaşık üç katına çıkabilir.

Bir Bakışta
- Ne oldu? BAE Systems FAST Labs, DARPA’nın THREADS programında Faz 1’i tamamlayıp Faz 2’ye geçti.
- THREADS ne demek? Technologies for Heat Removal in Electronics at the Device Scale — Cihaz Ölçeğinde Elektronikte Isı Uzaklaştırma Teknolojileri.
- Teknik hedef: Galyum nitrür (GaN) yarı iletkenlerde malzeme ve süreç iyileştirmeleriyle ısıyı kaynağından çekmek.
- Vaat: Radyo frekanslı (RF) sistemlerin menzilinde yaklaşık üç katına varan artış.
- Nerede yapılıyor? BAE Systems’in New Hampshire, Nashua’daki Mikroelektronik Merkezi — Kategori 1A Güvenilir Tedarikçi statüsünde.
- Kimlerle? Modern Microsystems, Penn State, Stanford, Notre Dame ve Teksas–Dallas üniversiteleri.
- Neden önemli? Menzil artışı yeni bir anten ya da yeni bir platform gerektirmiyor; mevcut mimarinin içinde kazanılıyor.
Radarın gerçek sınırı antende değil, ısıda
Bir radarın ne kadar uzağı gördüğünü belirleyen şey, sanıldığı gibi sadece antenin büyüklüğü değil. Denklemin diğer ucunda gönderilen sinyalin gücü var; gücü artırdığınızda ise anında bir duvara çarpıyorsunuz: ısı. Yayınlanan her watt’ın yanında çipin içinde ısıya dönüşen bir pay var ve o ısı dışarı atılamazsa çip önce performans kaybediyor, sonra ömrünü tüketiyor.
Bu yüzden modern faz dizinli (AESA) radarlarda tasarımcıların en çok uğraştığı konu sinyal işleme değil, soğutma. Sıvı soğutma devreleri, ısı boruları, soğutucu bloklar — bunların hepsi ısıyı çipin dışına çıktıktan sonra yakalamaya çalışıyor. DARPA’nın THREADS programı ise soruyu farklı soruyor: ısıyı hiç yayılmadan, doğduğu yerde, transistörün birkaç mikrometre yakınından alıp götürebilir miyiz?
Programın açılımı da tam olarak bunu anlatıyor: Technologies for Heat Removal in Electronics at the Device Scale, yani cihaz ölçeğinde ısı uzaklaştırma teknolojileri. “Cihaz ölçeği” ifadesi kritik; kastedilen kutunun ya da kartın değil, doğrudan yarı iletken katmanının ölçeği.

Neden galyum nitrür?
Galyum nitrür, savunma elektroniğinde son on beş yılın sessiz devrimi. Klasik galyum arsenit ya da silisyum tabanlı yükselteçlere kıyasla çok daha yüksek gerilim ve güç yoğunluğunda çalışabiliyor; bu da aynı hacimde kat kat fazla yayınlama gücü demek. Bugün dünyanın önde gelen AESA radarları, uydu haberleşme yer terminalleri ve elektronik harp karıştırıcıları GaN üzerine kurulu.
Ne var ki GaN’ın avantajı aynı zamanda zaafı. Aynı yüzeyden daha çok güç geçirdiğiniz anda ısı akısı da fırlıyor. Sektörde bilinen bir gerçek var: GaN cihazlar teorik kapasitelerinin belirgin biçimde altında çalıştırılıyor, çünkü tam kapasitede sürüldüklerinde üretilen ısı güvenle uzaklaştırılamıyor. THREADS’in peşinde olduğu kazanç tam da bu boşlukta: yeni bir yarı iletken icat etmeden, mevcut GaN’ı tasarım sınırına kadar sürebilmek.
BAE Systems’te programın baş araştırmacısı Isaac Wildeson, birinci fazın sonucunu “Faz 1’de kaydettiğimiz ilerleme, malzeme ve süreç iyileştirmelerine dayanan yaklaşımımızı doğruluyor ve bizi RF tabanlı sistemlerin tüm potansiyelini açığa çıkarmaya yaklaştırıyor” sözleriyle özetledi.
DARPA THREADS Programı Künyesi
| Program | THREADS — Technologies for Heat Removal in Electronics at the Device Scale |
| Yürütücü kurum | DARPA (ABD Savunma İleri Araştırma Projeleri Ajansı) |
| Ana yüklenici (bu kol) | BAE Systems FAST Labs |
| Aşama | Faz 1 tamamlandı, Faz 2’ye geçildi |
| Teknoloji | Galyum nitrür (GaN) yarı iletkenlerde cihaz ölçeğinde ısı uzaklaştırma |
| Hedeflenen kazanç | RF sistem menzilinde yaklaşık üç kat artış |
| Üretim/araştırma tesisi | Nashua, New Hampshire — BAE Systems Mikroelektronik Merkezi |
| Tesis statüsü | Kategori 1A Güvenilir Tedarikçi (GaN ve galyum arsenit tümleşik devre üretimi) |
| Akademik ortaklar | Penn State, Stanford, Notre Dame, Teksas–Dallas üniversiteleri, Modern Microsystems |
Üç kat menzil ne anlama gelir
“Menzilde üç kat” ifadesi, savunma teknolojisinde nadiren duyulan büyüklükte bir iddia. Somutlaştırmak gerekirse: bugün 200 kilometrede tespit yapan bir radarın 600 kilometreye uzanması, ya da aynı menzili çok daha küçük ve az güç çeken bir anten ile elde edebilmesi anlamına gelir. Elektronik harpte ise bu, karıştırma yapan uçağın hedef hava savunmasının atış zarfına hiç girmeden görevini yapabilmesi demek.
Bu kazancın en cazip yanı, nereden geldiği. Yeni bir platform, yeni bir anten dizisi ya da yeni bir dalga formu gerekmiyor; kazanç, hâlihazırda üretilen çipin içinde saklı. Savunma sanayisinde “aynı kutuyu daha çok çalıştırabilmek” genellikle en ucuz kabiliyet artışıdır — ve mevcut envanterin modernizasyonuna doğrudan uygulanabilir olması, bu tür programları bütçe masasında ayrıcalıklı kılar.
Uyarı payını da koymak gerek: THREADS henüz bir araştırma programı. Faz 2, laboratuvarda doğrulanmış bir yaklaşımın üretilebilir bir sürece dönüşüp dönüşmeyeceğini sınayacak. Yarı iletken tarihinde laboratuvarda çalışıp fabrikada tökezleyen fikirlerin sayısı hiç de az değil.

Türkiye açısından: GaN, artık bir tedarik değil kabiliyet başlığı
Bu haber Türkiye’de teknik bir merakın ötesinde okunmayı hak ediyor, çünkü GaN Türk savunma elektroniğinin de omurgasında. ASELSAN’ın hava savunma radarlarından SİPER ve HİSAR ailesinin arama ve atış kontrol sistemlerine, deniz platformlarındaki çok fonksiyonlu radarlardan elektronik harp karıştırıcılarına kadar geniş bir ürün ailesi bu yarı iletken teknolojisine dayanıyor. Türkiye, GaN’ı yalnızca satın alınan bir bileşen olmaktan çıkarıp kendi üretim hattına taşıma yönünde uzun süredir yatırım yapıyor — ve ihracat kısıtlarının bu kadar sık gündeme geldiği bir dönemde bu tercihin değeri her yıl artıyor.
THREADS gibi programların gösterdiği şey şu: GaN’a sahip olmak yarışın başlangıcı, sonu değil. Bundan sonraki rekabet, aynı malzemeden kimin daha fazla gücü güvenle çekebildiği üzerinde yürüyecek. Türkiye’nin kendi GaN hattını kurmuş olması, o yarışa girme biletini alması demek; biletin kaç tur yeteceğini ise malzeme ve ısı yönetimi tarafına ayrılacak araştırma bütçesi belirleyecek.

Kaynaklar
- Defence Industry Europe — “BAE Systems advances DARPA THREADS effort to Phase 2”, 15 Ağustos 2026
- BAE Systems FAST Labs kurumsal açıklamaları
- DARPA Mikrosistem Teknolojileri Ofisi program tanımları
- Wikipedia — Gallium nitride, Active electronically scanned array maddeleri




